东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
**上海，2023年6月13日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的*款600V产品，于今日开始批量出货。
通过对栅*设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低，并最终实现了开关电源效率的提高。
该新产品采用TOLL封装，栅*驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源*线电感的影响，增强MOSFET的高速开关性能，从而抑制开关过程中的振荡。
未来，东芝将继续扩展600V DTMOSVI系列产品线，以及已发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。
图1：漏*-源*导通电阻与栅漏电荷比较
应用
-数据中心（服务器开关电源等）
-光伏发电机功率调节器
-不间断电源系统
特性
-低漏源导通电阻栅漏电荷，有助于提高开关电源的效率
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25）
注：
[1]截至2023年6月
如需了解有关该新产品的更多信息，请访问以下网址：
TK055U60Z1
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK055U60Z1.html
如需了解东芝MOSFET产品的更多信息，请访问以下网址：
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html
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TK055U60Z1
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TK055U60Z1.html
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